氮化鎵是一種無機物質，化學式為GaN，是氮和鎵的化合物，是一種具有直接帶隙的半導體。自1990年起常用于發光二極管。這種化合物的結構與纖鋅礦相似，硬度非常高。氮化鎵具有3.4電子伏特的寬能隙，可用于高功率、高速光電元件。例如，氮化鎵可用于紫光激光二極管，并且可以在不使用非線性半導體泵浦固體激光器（Diode-pumped Solid-state Laser）的情況下產生紫光（405nm）激光。

“GaN”中文名稱“氮化鎵”，是一種新型半導體材料，它具有帶隙大、導熱率高、耐高溫、耐輻射、耐酸堿、高強度高硬度等特點，前期廣泛應用于新能源汽車、軌道交通、智能電網、半導體照明、新一代移動通信等領域。

與第一代（硅基）半導體相比，第三代半導體具有大帶隙、高導電率、高導熱率。它們具有高臨界擊穿電場、高電子遷移率和良好的頻率特性、特征。

Keep Tops氮化鎵是最具代表性的第三代半導體材料。它已成為高溫、高頻、大功率微波器件的首選材料之一。它具有迄今為止理論上最高的電光和光電轉換效率，材料系統。

GaN器件主要包括射頻器件和電力電子器件，用于無線充電、電源開關和逆變器等市場。

氮化鎵功率器件包括SBD、常關型場效應管、級聯型場效應管等產品，主要應用于無線充電部件、功率開關、逆變器、交流電等領域。隨著技術進步和成本控制，GaN材料將在中低功率中取代硅基功率器件，并在300V~600V電壓范圍發揮優勢作用。 GaN器件的體積將顯著減小：由于導通電阻低、能夠在高溫環境下工作、作用速度快，器件體積將顯著減小。

得益于氮化鎵材料本身的優異性能，Keep Tops制作出來的氮化鎵芯片面積比傳統硅基IGBT/MOSFET更小。密度更高，因此功率密度/面積遠遠超過硅基解決方案。另外，使用氮化鎵芯片后，其他外圍元件的使用量也減少了。電容器、電感器和線圈等無源元件比硅基解決方案少得多，進一步縮小了體積。