華燊泰科技的65W氮化鎵快充方案為華源支持直驅GaN的控制器與氮化鎵器件的組合，采用兩塊電路板組合焊接，將熱源分開，降低局部溫升。充電器由兩塊電路板組成，垂直一塊小板上焊接保險絲，共模電感和X電容，背面焊接整流橋，左側連接變壓器次級，USB-C輸出接口和濾波電容等。輸入端采用四顆永銘KCX高壓濾波電容，33μF400V，變壓器嚴密纏繞絕緣膠帶，放在兩塊電路板之間的夾角中。

支持輸出過壓保護，支持變壓器磁飽和保護，支持芯片供電過壓保護，支持過載保護，支持輸出電壓過壓和輸入brown-in/out保護，支持片內過熱保護，支持電流取樣電阻開路保護，待機功耗小于20mW。開關頻率為200KHz，適用于USB PD適配器和電源適配器應用。
可以看出，使用氮化鎵芯片能夠有效簡化電源的初級電路，有助于小體積高密度的快充設計。使用內置氮化鎵驅動的控制器，能夠搭配不同的氮化鎵器件使用，滿足多種功率的應用。