一、新聞導(dǎo)讀

近日，國務(wù)院印發(fā)《推動大規(guī)模設(shè)備更新和消費(fèi)品以舊換新行動方案》（以下簡稱《行動方案》），統(tǒng)籌擴(kuò)大內(nèi)需和深化供給側(cè)結(jié)構(gòu)性改革，結(jié)合各類設(shè)備和消費(fèi)品更新?lián)Q代差異化需求，圍繞實(shí)施設(shè)備更新、消費(fèi)品以舊換新、回收循環(huán)利用、標(biāo)準(zhǔn)提升四大行動，系統(tǒng)部署二十條具體措施，在重點(diǎn)領(lǐng)域提前發(fā)力，有利于提振內(nèi)需，有效推動我國宏觀經(jīng)濟(jì)延續(xù)回升向好勢頭。推動大規(guī)模設(shè)備更新和消費(fèi)品以舊換新，是黨中央、國務(wù)院著眼于我國高質(zhì)量發(fā)展大局作出的重大決策，既能促進(jìn)消費(fèi)、拉動投資，也能增加先進(jìn)產(chǎn)能、提高生產(chǎn)效率，還能促進(jìn)節(jié)能降碳、減少安全隱患，既惠民、又利企，一舉多得。

《行動方案》系統(tǒng)部署了設(shè)備更新行動，將有力拉動有效投資。中國是制造業(yè)大國，很多設(shè)備保有量位居全球第一，伴隨新型工業(yè)化深入推進(jìn)，對于先進(jìn)設(shè)備的需求不斷增長，設(shè)備更新需求將不斷擴(kuò)大。2023年，中國工業(yè)、農(nóng)業(yè)等重點(diǎn)領(lǐng)域設(shè)備投資規(guī)模約4.9萬億元，初步估算設(shè)備更新將是一個年規(guī)模5萬億元以上的巨大市場。《行動方案》圍繞節(jié)能減排、超低排放、安全生產(chǎn)、數(shù)字化轉(zhuǎn)型、智能化升級等方向，推動重點(diǎn)行業(yè)設(shè)備更新改造。隨著市場不斷擴(kuò)大和消費(fèi)者需求不斷升級，企業(yè)有更多的發(fā)展機(jī)會，供給端的技術(shù)創(chuàng)新和需求端的產(chǎn)品升級推動企業(yè)提升競爭力、產(chǎn)業(yè)格局進(jìn)一步優(yōu)化，帶動相關(guān)產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展，推動經(jīng)濟(jì)體系升級。

二、機(jī)遇與挑戰(zhàn)并存對企業(yè)創(chuàng)新提出更高要求

對廣大企業(yè)而言，新一輪“以舊換新”在創(chuàng)造新機(jī)遇的同時，也帶來了新的挑戰(zhàn)。有關(guān)專家認(rèn)為，設(shè)備更新將直接推動制造業(yè)的發(fā)展，特別是高端裝備制造和智能制造領(lǐng)域。企業(yè)為提升自身競爭力，必然會加大對新技術(shù)、新設(shè)備的投入，將為設(shè)備制造商帶來可觀的訂單。同時，消費(fèi)品換新也將促進(jìn)零售、物流等多個行業(yè)的發(fā)展。

挑戰(zhàn)也同樣明顯。隨著技術(shù)不斷迭代，新產(chǎn)品和新設(shè)備的更新?lián)Q代速度也在加快，要求企業(yè)必須具備更強(qiáng)的創(chuàng)新能力和市場適應(yīng)能力。總的來說，新一輪以舊換新政策為產(chǎn)業(yè)鏈上下游帶來了前所未有的發(fā)展機(jī)遇，同時也對企業(yè)的創(chuàng)新能力和市場競爭力提出了更高的要求。既包括新技術(shù)新材料應(yīng)用所推動的升級換代，也包括對產(chǎn)品精益求精的改進(jìn)優(yōu)化。目前產(chǎn)業(yè)鏈需要做到精準(zhǔn)匹配，落差太大是不行的，這需要各行業(yè)做好精準(zhǔn)的調(diào)研工作，每個行業(yè)的落地是不同的，根據(jù)產(chǎn)品的換代時間、使用場景等的不同，如何制定好能精準(zhǔn)匹配的以舊換新模式，是產(chǎn)業(yè)鏈上下游目前面臨最大的挑戰(zhàn)。

三、第三代半導(dǎo)體的機(jī)遇

隨著國家對設(shè)備升級和以舊換新政策的深入推進(jìn)，這一政策不僅加速了傳統(tǒng)設(shè)備的更新?lián)Q代，更為氮化鎵（GaN）芯片等新材料在產(chǎn)品升級拓展注入了強(qiáng)勁動力。硅作為第一代「半導(dǎo)體材料」的典型代表，其技術(shù)與應(yīng)用發(fā)展到如今已經(jīng)是爐火純青，甚至于，目前全球 95% 以上的半導(dǎo)體芯片和器件都是用硅片作為基礎(chǔ)功能材料而生產(chǎn)出來。但任何材料其性能和效率都存在一個理論極限，隨著硅材料技術(shù)的越來越全面的發(fā)展，硅在光電子領(lǐng)域和高頻高功率器件方面的諸多限制也開始體現(xiàn)出來。硅的性能已經(jīng)開始跟不上各種應(yīng)用場景的需求了。

其最根本原因就在于硅本身的帶隙較窄、電子遷移率和擊穿電場較低。同一種產(chǎn)品使用GaN（氮化鎵） 功率芯片的充電器充電速度比傳統(tǒng)硅充電器快高三倍，但尺寸和重量，甚至只有后者的一半。同時還有耐高溫、低損耗等特點(diǎn)。我們把這種材料技術(shù)帶來的優(yōu)勢分成兩個層面解讀：產(chǎn)品與行業(yè)。

對產(chǎn)品：

在電力電子領(lǐng)域，基于 GaN 材料制備的功率器件擁有更高的功率密度輸出，以及更高的能量轉(zhuǎn)換效率。除此之外可以使系統(tǒng)小型化、輕量化，有效降低電力電子裝置的體積和重量，從而極大降低系統(tǒng)制作及生產(chǎn)成本。

對行業(yè)：

相關(guān)數(shù)據(jù)表明，在低壓市場，GaN 的應(yīng)用潛力甚至可以占據(jù)到整個功率市場約 68% 的比重。另一點(diǎn)可能是大家比較意外的，那就是 GaN 技術(shù)還可以有效降低碳排放。其碳足跡比傳統(tǒng)的硅基器件要低 10 倍。

現(xiàn)在來看，氮化鎵已在便攜電源適配器應(yīng)用中占據(jù)了一席之地。而在5G通信和新能源汽車領(lǐng)域，氮化鎵芯片滿足高頻、高功率、高可靠性等需求，也為產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供有力支撐。

以舊換新政策的實(shí)施，為氮化鎵芯片提供了廣闊的市場。一方面，政策鼓勵企業(yè)加大研發(fā)投入，推動氮化鎵芯片技術(shù)應(yīng)用的不斷創(chuàng)新和產(chǎn)品升級落地；另一方面，政策引導(dǎo)消費(fèi)者關(guān)注高性能、環(huán)保節(jié)能的產(chǎn)品，提高氮化鎵芯片的知名度和認(rèn)可度。

作為企業(yè)應(yīng)加強(qiáng)合作與交流，共同推動氮化鎵芯片技術(shù)的進(jìn)步和應(yīng)用拓展，為產(chǎn)業(yè)發(fā)展貢獻(xiàn)更多力量。