封裝是連接芯片和外部電路的橋梁，封裝技術對芯片性能的影響主要體現在幾個方面：

提升系統性能：隨著摩爾定律迭代速度放緩，先進封裝技術成為提升系統性能的另一發展主軸。通過集成化封裝，可以在不縮小制程節點的背景下，僅通過改進封裝方式就能提升芯片性能。

提高信號傳輸效率和穩定性：封裝技術能夠保護芯片免受環境因素的影響，同時提高信號傳輸效率和穩定性，這對于芯片性能的穩定發揮至關重要。

增強芯片性能：封裝技術通過提高集成度來滿足現代電子設備功能日益復雜的需求。一方面，增加單個芯片的功能密度；另一方面，通過系統級封裝（SiP）等技術將多個不同功能的芯片集成在一起，形成一個完整的系統，從而增強芯片性能。

降低信號傳輸延遲：高性能封裝工藝發展包括提高芯片的電氣性能，例如降低信號傳輸延遲、提高信號完整性等。通過采用先進的封裝技術，如倒裝芯片（Flip - Chip）技術和球柵陣列封裝（BGA）技術，可以實現更短的電氣連接路徑，從而減少信號傳輸過程中的延遲和損耗。

改善散熱性能：隨著芯片的集成度和性能的提高，芯片產生的熱量也越來越多。新型的封裝技術注重改善散熱性能，例如采用散熱性能更好的封裝材料、優化封裝結構以增加散熱路徑等，這對于維持芯片性能和可靠性至關重要。

三維封裝（3D封裝）：三維封裝技術通過堆疊不同的芯片層，可以在有限的空間內實現更高的集成度和性能，這對于提升芯片性能和實現更復雜的功能具有重要意義。

保護芯片免受損害：封裝材料可以保護芯片免受微粒、濕氣和機械力等外界因素對它的損害，同時也增強了散熱。

隨著技術的發展，多樣性的應用需求創造了一系列的封裝媒介和封裝工藝。

以下是一些常見的功率芯片封裝類型：

TO封裝：包括TO-220和TO-247等，這些是分立式封裝，廣泛應用于小功率范圍，需要焊接到印刷電路板上。由于功率損耗相對較低，散熱要求不高，這種封裝設計通常不采用內部絕緣，每個封裝中只有一個開關。

模塊層疊結構：包括TO-247單管封裝及模塊封裝，外殼、芯片、端子和鍵合線是其主要組成部分。

翻轉貼片封裝：阿肯色大學團隊借鑒BGA的封裝技術，提出了一種單管的翻轉貼片封裝技術，可以有效減小雜散電感值，將其大小控制在5nH以下。

DBC+PCB混合封裝：這種封裝方式結合了兩種成熟工藝的優勢，易于制作，可實現低雜散電感以及更小的體積。

SKiN封裝：由Semikron公司利用SKiN封裝技術制作的1200V/400A的SiC模塊，采用柔性PCB板取代鍵合線實現芯片的上下表面電氣連接，模塊內部回路寄生電感僅有1.5nH。

DLB、Cu-Clip、SiPLIT封裝：這些封裝技術通過平面互連的方式實現芯片正面的連接，減小電流回路，進而減小雜散電感、電阻，還擁有更出色的溫度循環特性以及可靠性。

在不同領域，不同產品又各有特點，舉例幾個在功率芯片中最常用的封裝規格：

TO-220/220F：這是一種分立式封裝，廣泛應用于小功率范圍。TO-220F是全塑封裝，裝到散熱器上時不必加絕緣墊；而TO-220帶金屬片與中間腳相連，裝散熱器時要加絕緣墊。

TO-251：這種封裝產品主要是為了降低成本和縮小產品體積，主要應用于中壓大電流60A以下、高壓7A以下的環境中。

TO-92：這種封裝只有低壓MOS管（電流10A以下、耐壓值60V以下）和高壓1N60/65在使用，目的是降低成本。

TO-252(D-PAK)：這是一種塑封貼片封裝，常用于功率晶體管、穩壓芯片的封裝，是目前主流封裝之一。采用該封裝方式的MOSFET有3個電極，柵極(G)、漏極(D)、源極(S)。其中漏極(D)的引腳被剪斷不用，而是使用背面的散熱板作漏極(D)，直接焊接在PCB上，一方面用于輸出大電流，一方面通過PCB散熱。

TO-263(D2PAK)：這是TO-220的一個變種，主要是為了提高生產效率和散熱而設計，支持極高的電流和電壓，在150A以下、30V以上的中壓大電流MOS管中較為多見。