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    HDS065J040G3

    碳化硅

    HDS065J040G3

    HDS065J040G3基本參數(shù)

    型號(hào) 最大反向峰值電壓 IF(135℃)允許最大正向平均電流 IF(155℃)允許最大正向平均電流 電荷量 封裝 PDF下載
    HDS065J040G3 650V 50A Industry 55nC TO-247-3L HDS065J040G3PDF文件

    HDS065J040G3應(yīng)用范圍

    直流充電樁光伏發(fā)電儲(chǔ)能新能源汽車(chē)UPS電源數(shù)據(jù)中心

    其他介紹

    相對(duì)于第一代(硅基)半導(dǎo)體,第三代半導(dǎo)體禁帶寬度大,電導(dǎo)率高、熱導(dǎo)率高。第三代半導(dǎo)體的禁帶寬度是第一代和第二代半導(dǎo)體禁帶寬度的近3倍,具有更強(qiáng)的耐高壓、高功率能力。

    碳化硅器件在具體應(yīng)用場(chǎng)景中表現(xiàn)出的特性是:1、耐高溫:硅基材料120°C場(chǎng)景需要散熱,使用SiC在175°C結(jié)溫不需要散熱,可承受600°C以上高溫環(huán)境。

    碳化硅功率器件在高功率高壓領(lǐng)域有廣泛的潛在應(yīng)用,目前在600-1700V的光伏逆變、工業(yè)電源、新能源汽車(chē)、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域已得到廣泛應(yīng)用。


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